Статья
26 Февраля 2014 10:03

СМИ: США выбирают нового посла в Москву

В ближайшие дни Белый дом назовет имя нового посла США в России, пишет «Коммерсантъ» со ссылкой на источники, близкие к Госдепу.

По данным источника, главными претендентами являются четыре дипломата, среди которых трое - бывшие послы США на Украине.

В список входят три карьерных дипломата: Джон Теффт, Стивен Пайфер и Карлос Паскуаль, а также один из ведущих экспертов по проблемам разоружения и ядерной безопасности Роуз Готтемеллер.

Теффт, помимо работы в Киеве, был послом США в Литве и Грузии, в середине 1990-х - первым заместителем посла в России. В 1985 году он принимал участие в переговорах по СНВ-1. Пайфер, который сейчас работает в одном из главных «мозговых центров» США, Институте Брукингса, ранее являлся заместителем госсекретаря по отношениям с Россией и Украиной. Паскуаль после работы на Украине в 2000-2003 году был послом США в Мексике. Геттемюллер в 1990-х годах занимала пост директора Совета национальной безопасности США по России, Украине и Евразии.

61-летний Стивен Пайфер был послом в Киеве с 1998 по 2000 год. С 2001 по 2004 год он работал заместителем помощника госсекретаря и курировал российско-украинские отношения. Сейчас он является старшим научным сотрудником авторитетного вашингтонского центра Brookings Institution, где занимается вопросами постсоветского пространства и контролем над вооружениями.

Карлос Паскуаль возглавлял дипмиссию на Украине с 2000 по 2003 год, после чего занял аналогичный пост в мексиканском представительстве. Сейчас 55-летний дипломат курирует в Госдепе сотрудничество в энергетической сфере.

Посол США в России Майкл Макфол сегодня уезжает из Москвы на родину. О том, что Макфол покидает свой пост, стало известно еще в феврале.

  • вконтакте
  • facebook
  • твиттер

© 2008-2016 НО - Фонд «Центр политической конъюнктуры»
Сетевое издание «Актуальные комментарии». Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № ФС77-58941 от 5 августа 2014 года. Издается с сентября 2008 года. Информация об использовании материалов доступна в разделе "Об издании".