Статья
5 Октября 2012 12:34

Не признали вины

Четверо наших соотечественников, арестованных накануне в американском Хьюстоне по подозрению в незаконном экспорте в Россию технологий двойного назначения, не признали своей вины. 

Об этом сообщил их адвокат, передает «Первый канал». Тем не менее, сегодня, как ожидается, суд рассмотрит вопрос о переводе задержанных в Нью-Йорк для продолжения разбирательства. Также будет вынесено решение по ходатайству об освобождении арестованных под залог. В постоянном контакте с нашими соотечественниками находится консульство России в Хьюстоне. 

Главный подозреваемый в шпионаже - Александр Фищенко, по-видимому, вел замкнутый образ жизни. Как сообщает ИТАР-ТАСС со ссылкой на агентство Assosiated Press, 46-летний Фищенко редко общался со своими соседями в Хьюстоне , а лидеры русскоговорящей общины города ничего не слышали о нем до его ареста. 

По данным американского следствия, Фищенко родился в Казахстане, окончил Ленинградский электротехнический институт. В 1994 году он переехал в США и стал работать в магазине электроники, в 2003 году принял американское гражданство. В 1998 году Фищенко основал компанию «Арк электроникс», которая, по утверждению прокуратуры, незаконно поставляла различное высокотехнологичное оборудование в Россию.

Напомним, всего по этому делу были арестованы восемь человек. У всех задержанных имеется американское гражданство. У четырех из них, в том числе у Фищенко, есть также российские паспорта.

В дальнейшем их, очевидно, ждет перевод в Нью-Йорк для рассмотрения дела в суде района Бруклин, где против них возбуждено уголовное дело. В Бруклине расположен международный аэропорт им. Кеннеди, который, по словам американских властей, служил обвиняемым перевалочной базой при осуществлении поставок в Россию.

  • вконтакте
  • facebook
  • твиттер

© 2008-2016 НО - Фонд «Центр политической конъюнктуры»
Сетевое издание «Актуальные комментарии». Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № ФС77-58941 от 5 августа 2014 года. Издается с сентября 2008 года. Информация об использовании материалов доступна в разделе "Об издании".